| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo antiparalelo de recuperación rápida |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB (through‑hole) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Voltaje compuerta‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Corriente continua de colector (I_C) a T_C = 25 °C |
28 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
16 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (I_CM / I_LM) |
58 A |
| Potencia máxima disipada (P_D) @ case 25 °C |
100 W |
| Temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 16 A |
~ 2.21 V |
| Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC) |
~ 1.2 °C/W (IGBT) |
| Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS) |
0.5 °C/W (con pasta térmica) |
| Tiempos de conmutación típicos (turn‑on / turn‑off) |
~60 ns / ~160 ns |
| Tiempo mín |
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