Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT + diodo antiparalelo “ultrafast / soft‑recovery” integrado (Co‑Pack)
Paquete / Encapsulado	TO‑247AC (through‑hole)
Voltaje máx. colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua colector @ T_C = 25 °C (I_C)	23 A
Corriente continua colector @ T_C = 100 °C (derating)	12 A
Corriente de carga inductiva / pico (I_CM / ILM)	92 A (pico / carga inductiva)
Potencia máxima disipada @ case, T_C = 25 °C (P_D)	100 W
Potencia disipada @ T_C = 100 °C (derating)	42 W
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Tensión saturación típica colector‑emisor (V_CE(on))	≈ 1.95 V (condiciones típicas: V_GE = 15 V, I_C cerca de 12 A)
Capacidad de carga de puerta (Gate Charge, Q_G)	~ 50 nC (valor típico, depende de condiciones de gate)
Tiempos típicos de conmutación (turn‑on / turn‑off)	~ 17 ns / ~ 78 ns (condiciones de prueba: 480 V, 12 A, gate resist 23 Ω)
Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C
Características especiales	Diodo antiparalelo integrado tipo soft‑recovery — favorable para puentes, inversores o cargas inductivas. Optimizado para frecuencia de conmutación intermedia: ~ 8–40 kHz en hard‑switching; en modo resonante puede alcanzar > 200 kHz.

IRG4PC30UD-E I&R