| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor bipolar de puerta aislada para potencia |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247AC |
Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
50–55 |
A (dependiendo de la temperatura de carcasa) |
| Corriente continua de colector a 100 °C |
~30 |
A (condiciones térmicas típicas) |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
~120 |
A (picos cortos permitidos) |
| Potencia máxima disipada (PD) |
~200 |
W (a TC=25 °C con buen disipador) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~1.6–2.2 |
V @ VGE=15 V, corriente moderada |
| Corriente de puerta (Qg) |
~180 |
nC (aproximado total de gate) |
| Tiempos de conmutación típicos |
Encendido ~40 ns / Apagado ~150–200 ns |
Nanosegundos |
| Temperatura de unión (Tj) |
–55 … +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
–55 … +150 |
°C |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí |
Permite circulación de corriente en cargas inductivas |
| Tipo de conducción |
N‑Channel |
Polarizado por puerta |
| Aplicaciones típicas |
Control de motores, inversores, UPS, SMPS |
Electrónica de potencia |
