| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel (de potencia) |
Transistor de puerta aislada |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247AC |
Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
50–60 |
A (dependiendo de enfriamiento) |
| Corriente continua de colector a 100 °C |
~30 |
A (condiciones térmicas típicas) |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
~120–150 |
A (picos cortos permitidos) |
| Potencia máxima disipada (PD) |
~200 |
W (a TC=25 °C con disipador) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~1.4–1.8 |
V @ VGE=15 V, corriente moderada |
| Carga total de puerta (Qg) |
~160–200 |
nC (aproximado) |
| Tiempos de conmutación típicos |
Encendido ~40–60 ns / Apagado ~150–200 ns |
Nanosegundos |
| Temperatura de unión operativa (Tj) |
–55 … +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) |
–55 … +150 |
°C |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí |
Conduce en cargas inductivas sin diodo externo |
| Aplicaciones típicas |
Inversores, control de motores, UPS, SMPS |
Electrónica de potencia |
