| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel (tecnología “PDP Trench IGBT”) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (IC, case 25 °C) |
25 A (algunas condiciones admiten hasta 40 A) |
| Corriente pico repetitiva (IRP) / pulso |
225 A (TC = 25 °C) |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico, IC=40 A) |
~ 1.70 V |
| Temperatura máxima de unión (TJ) |
150 °C |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220 (tipo TO‑220F / TO‑220AB) |
| Características especiales / aplicaciones |
Tecnología “Trench” optimizada para eficiencia; bajo VCE(on) y baja energía por pulso; alta capacidad de corriente pico — pensado para circuitos de recuperación/impulso (p. ej. en paneles PDP), pero también útil donde se requieren pulsos de corriente elevados o picos de potencia. |
