Parámetro Valor
Tipo de componente IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (Co‑Pack, UltraFast / soft‑recovery)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) 1200 V
Corriente continua de colector (IC) 40 A (case = 25 °C)
Corriente de colector pulsada / pico (ICM) 120 A (pulso)
Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C) 300 W
Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) ~3.05 V (VGE = 15 V, IC = 20 A)
Diodo antiparalelo interno Recuperación rápida / soft‑recovery, VF ~1.67 V típico @ 20 A
Paquete / encapsulado TO‑247AD (through‑hole)
Rango de temperatura de operación (junción) –55 °C … +150 °C
Capacidad de cortocircuito 10 µs (soporta pulsos breves de cortocircuito)
Aplicaciones típicas Fuentes, inversores, UPS, soldaduras, calefacción por inducción; adecuado para conmutación media‑alta tensión

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