Parámetro / característica	Valor / dato
Tipo de componente	IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (Ultra‑Fast / soft‑recovery)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	600 V
Corriente continua de colector (IC, case = 25 °C)	60 A
Corriente continua de colector @ case = 100 °C	30 A
Corriente pulsada / pico (ICM)	120 A
Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C)	304 W
Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico / referencia)	≈ 2.35 V @ VGE = 15 V, IC = 30 A
Carga de puerta (Gate Charge, Qg)	~ 102 nC
Tiempos típicos de conmutación (turn‑on / turn‑off) @ 25 °C	~ 46 ns / ~ 185 ns
Recuperación inversa del diodo antiparalelo (trr)	~ 125 ns
Paquete / encapsulado	TO‑247AD (through‑hole, 3‑pines + tab)
Rango de temperatura de operación (junción)	–55 °C … +150 °C
Tipo IGBT / especialidades	Tecnología NPT, diodo integrado de recuperación suave, buena robustez a transitorios, RBSOA «cuadrada» (buena en cortocircuitos breves)
Estado del producto	Obsoleto / “Not For New Designs” — ya no se fabrica activamente.

IRGP30B60KD-EP IGBT