Parámetro Valor
Tipo IGBT de potencia, canal N, con diodo antiparalelo ultrarrápido
Encapsulado TO-247AC / TO-247AD
Tensión colector–emisor (VCES) 300 V
Corriente de colector continua (Ic, 25 °C) 70 A
Corriente de colector continua (Ic, 100 °C) ≈40 A
Corriente de colector pulsada (Icm) >100 A (según límites térmicos)
Tensión gate-emisor máxima (VGE) ±30 V
VCE(sat) típica 1.2–1.3 V (a Ic ≈ 40–70 A, VGE = 15 V)
VCE(sat) máxima ≈1.9 V (a Ic = 70 A)
Corriente del diodo interno (If) Similar a Ic
Tensión de umbral (VGE(th)) 4–6 V

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