| Tipo de dispositivo |
MOSFET de potencia, canal N |
| Serie / familia |
HiPerFET™ Standard |
| Tensión drenaje‑fuente máxima (VᴅSS) |
300 V |
| Corriente de drenaje continua (Iᴅ, Tc = 25 °C) |
40 A |
| Resistencia drenaje‑fuente en conducción (RᴅS(on), máx) |
0.085 Ω (V_GS = 10 V) |
| Tensión compuerta‑fuente máxima (V_GS max) |
± 20 V |
| Umbral de compuerta (V_GS(th)) |
~4 V @ Iᴅ = 4 mA |
| Carga de compuerta (Q_G) |
177 – 200 nC (V_GS = 10 V) |
| Capacitancia de entrada (C_iss) |
~4800 pF (V_DS = 25 V) |
| Disipación máxima de potencia (P_D, case) |
300 W (Tc, con disipador adecuado) |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C … +150 °C |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑247AD (Through‑Hole) |
| Tipo de FET |
N‑Channel, enhancement mode, Power MOSFET |
| Características adicionales |
Diodo intrínseco rápido, apto para switching inductivo; bajo R_DS(on) para alta eficiencia |
