| Tipo de componente |
IGBT N‑canal, PowerMESH™ “very fast” con diodo ultrarrápido integrado |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247 (TO‑247‑3) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (V_CE) |
600 V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (V_GE) |
± 20 V |
| Corriente continua de colector (I_C) |
80 A (T_case = 25 °C) · 40 A (T_case = 100 °C) |
| Corriente pulsada de colector (I_CP) |
220 A |
| Corriente RMS del diodo integrado (I_F) |
30 A (T_case = 25 °C) |
| Corriente de pico no repetitiva del diodo (I_FSM) |
120 A (tp = 10 ms) |
| Disipación máxima de potencia (P_tot) |
250 W (T_case = 25 °C) |
| Temperatura de operación de la unión (T_j) |
– 55 °C a +150 °C |
