Parámetro	Símbolo	Valor / Rango
Tipo / Descripción	—	IGBT con diodo ultrarrápido, tecnología Non‑Punch Through
Voltaje colector‑emisor máximo	V_CE	600 V
Corriente de colector continua (TC = 25 °C)	I_C	13 A
Corriente de colector continua (TC = 100 °C)	I_C @ 100 °C	7 A
Corriente de colector pulsada	I_CM	26 A
Corriente de carga inductiva (clamped)	I_LM	26 A
Voltaje puerta‑emisor permitido	V_GE	±20 V
Potencia disipada máxima (TC = 25 °C)	P_D	90 W
Potencia disipada máxima (TC = 100 °C)	P_D @ 100 °C	36 W
Temperatura de unión operativa	T_j	–55 … +150 °C
Temperatura de almacenamiento	T_stg	–55 … +150 °C
Resistencia térmica unión-a-caso	R_θJC	1.4 °C/W
Resistencia térmica caso-a-sink	R_θCS	0.50 °C/W
Resistencia térmica unión‑a‑ambiente	R_θJA	62 °C/W
Peso	—	1.44 g
Tensión umbral de puerta	V_GE(th)	3.5 … 5.5 V
Coeficiente temperatura de V_GE(th)	∆V_GE(th)/∆T_j	–10 mV/°C
Transconductancia	g_fe	≈ 3.0 S
Corriente de fuga colector sin puerta	ICES	hasta ~150 µA
Corriente de fuga puerta-emisor	IGES	±100 nA
Carga total de puerta	Q_g	18.2 nC
Carga puerta-emisor	Q_ge	~1.9 nC
Carga puerta-colector	Q_gc	~9.2 nC
Energía conmutación encendido	E_on	110 – 210 µJ
Energía conmutación apagado	E_off	135 – 245 µJ
Pérdida total de conmutación	E_tot	245 – 455 µJ
Tiempo retardo encendido	t_d(_

IRGB6B60KD I&R