Parámetro	Símbolo	Valor / Rango
Tipo / Descripción	—	IGBT NPT, tecnología Non‑Punch Through
Voltaje colector-emisor máximo	V_CE	600 V
Corriente de colector continua (TC = 25 °C)	I_C	78 A
Corriente de colector continua (TC = 100 °C)	I_C @ 100 °C	50 A
Corriente de colector pulsada	I_Cpulse	120 A
Corriente de carga inductiva (clamped)	I_LM	120 A
Voltaje puerta-emisor permitido	V_GE	±20 V
Disipación máxima de potencia (TC = 25 °C)	P_D	370 W
Disipación máxima de potencia (TC = 100 °C)	P_D	180 W
Temperatura de unión operativa	T_j	–55 … +175 °C
Temperatura de almacenamiento	T_stg	–55 … +175 °C
Resistencia térmica unión‑a‑caso	R_θJC	0.41 °C/W
Resistencia térmica caso‑a‑sink	R_θCS	0.50 °C/W
Resistencia térmica unión‑a‑ambiente	R_θJA	62 °C/W
Peso	—	1.44 g
Coeficiente de temperatura de V(BR)CES	∆V(BR)CES/∆T_j	0.40 V/°C
Caída VCE(sat) típica / máxima	—	típ. 1.95 V, máx. 2.35 V (IC = 30 A, VGE = 15 V)
VCE(sat) a alta temperatura	—	2.40‑2.75 V a 150 °C; 2.60‑2.95 V a 175 °C
Tensión umbral de puerta	V_GE(th)	3.5 … 5.5 V
Coeficiente temperatura de V_GE(th)	∆V_GE(th)/∆T_j	–10 mV/°C
Transconductancia	g_fe	≈ 18 S
Corriente de fuga colector sin puerta	ICES	hasta ~2000 µA
Corriente de fuga puerta-emisor	IGES	±100 nA (±20 V puerta)
Carga de puerta total	Q_g	típ. 102 nC
Carga puerta-emisor	Q_ge	típ. 14 nC
Carga puerta-colector	Q_gc	típ. 44 nC
Energía de conmutación encendido	E_on	350 µJ
Energía de conmutación apagado	E_off	825 µJ
Tiempo retardo encend

IRGS30B60K IGBT SUPERFICIAL