| Tipo de dispositivo |
Fototransistor NPN de silicio |
Sensor óptico que conduce cuando recibe luz (infrarroja o visible) |
| Configuración de salida |
Colector-Emisor (transistor) |
Salida tipo transistor sensible a luz |
| Voltaje colector-emisor máximo (VCEO) |
≈ 30 V |
Tensión máxima entre colector y emisor antes de ruptura (similar a otros OP8xx) |
| Corriente continua del colector (IC) |
≈ 20–50 mA |
Corriente máxima que puede producir bajo Iluminación intensa (estimado en rango común de familia OP8xx) |
| Corriente de oscuridad |
≈ 50–200 nA |
Corriente residual sin luz (típico en fototransistores discretos) |
| Potencia disipada (PD) |
≈ 100–250 mW |
Potencia total que puede tolerar el paquete |
| Sensibilidad espectral |
Infrarroja cercana |
Los fototransistores OP8xx suelen estar optimizados hacia ~880–940 nm |
| Tiempo de respuesta |
µs a ms |
Dependiendo de iluminación y circuito |
| Encapsulado típico |
TO-206AA / TO-18-3 metal can |
Paquete metálico con lente (común en sensores OP8xx) |
| Número de pines |
3 pines |
Colector, base (opcional o no conectada), emisor |
| Aplicaciones típicas |
Detección de luz, sensores de interrupción IR, sistemas de control |
Uso general en optoelectrónica de sensores |
