Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 68 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS) ±25 V
Corriente continua de drenador (ID) 88 A (TC = 25 °C)
Corriente continua a 100 °C 65 A
Corriente pulsada de drenador ~320 A (pulse) (
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 6 mΩ típico @ VGS=10 V
Disipación de potencia (PD) ~120 W (TC = 25 °C)
Energía de avalancha (EAS) ~225 mJ (single pulse)
Temperatura de operación (TJ) –55 °C … +175 °C
Encapsulado TO‑220
Aplicaciones típicas Conmutación de potencia, fuentes SMPS, control de motor, inversores

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