Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Paquete / Encapsulado	TO‑220AB (TO‑220‑3)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector @ T_C = 25 °C (I_C)	13 A
Corriente continua de colector @ T_C = 100 °C	6.5 A
Corriente pulsada / carga inductiva (I_CM / ILM)	52 A
Potencia máxima disipada @ T_C = 25 °C (P_D)	60 W
Potencia máxima disipada @ T_C = 100 °C	24 W (tipo típico según hoja de datos)
Voltaje compuerta‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Rango de temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C
Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 6.5 A	≈ 2.16 V
Voltaje saturación máximo V_CE(on) @ mismas condiciones (según especificación)	2.6 V (max)
Carga de puerta (Gate charge, Q_G)	~ 26‑27 nC
Tiempos de conmutación (turn‑on / turn‑off) @ 25 °C	~ 22 ns / ~ 110 ns
Energía de conmutación (condiciones de test: 480 V, 6.5 A, carga 50 Ω, V_GE = 15 V)	~ 60 µJ (encendido), ~ 80 µJ (apagado)
Resistencia térmica juntura–a–case (RθJC)	Máx. 2.1 °C/W
Resistencia térmica case–a–sink (RθCS)	0.5 °C/W (superficie plana con grasa térmica)
Resistencia térmica juntura–a–ambiente (RθJA) — montaje típico	~ 80 °C/W (sin disipador, montaje en zócalo)

IRG4BC20W I&R