Parámetro Valor típico / máximo Descripción
Tipo de dispositivo Fototransistor de salida en optoacoplador Dispositivo optoelectrónico para aislamiento eléctrico
Configuración de salida Fototransistor NPN Salida de transistor sensible a luz infrarroja
Corriente máxima del colector (IC) 50 mA Corriente máxima que puede circular por el fototransistor
Voltaje colector‑emisor (VCE) 80 V Máxima tensión colector‑emisor permitida
Voltaje colector‑emisor saturación (VCE(sat)) 0.2 V típ.) Tensión en saturación cuando el fototransistor conduce
Corriente directa LED (IF) 60 mA Corriente máxima del LED interno
Tensión directa LED (VF) 1.2 V a 1.4 V Caída de tensión típica en el LED
Ganancia de transferencia de corriente (CTR) 50% – 600% (depende de versión 3 o 4) Relación de corriente de salida respecto a corriente de entrada en LED
Frecuencia de conmutación ≈100 kHz Velocidad máxima de conmutación
Rango de temperatura de operación −55 °C a +100 °C Temperatura ambiente permitida para operación segura
Encapsulado / Paquete DIP-6 Montaje a través de placa de circuito impreso
Aislamiento eléctrico ≥ 5000 V Tensión mínima de aislamiento entre entrada (LED) y salida (fototransistor)
Aplicaciones típicas Aislamiento entre circuitos, acoplamiento de señales digitales, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas Uso en sistemas donde se requiere separación eléctrica

PRODUCTOS RELACIONADOS