| Parámetro | Valor típico / máximo | Descripción |
|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | Fototransistor de salida en optoacoplador | Dispositivo optoelectrónico para aislamiento eléctrico |
| Configuración de salida | Fototransistor NPN | Salida de transistor sensible a luz infrarroja |
| Corriente máxima del colector (IC) | 50 mA | Corriente máxima que puede circular por el fototransistor |
| Voltaje colector‑emisor (VCE) | 80 V | Máxima tensión colector‑emisor permitida |
| Voltaje colector‑emisor saturación (VCE(sat)) | 0.2 V típ.) | Tensión en saturación cuando el fototransistor conduce |
| Corriente directa LED (IF) | 60 mA | Corriente máxima del LED interno |
| Tensión directa LED (VF) | 1.2 V a 1.4 V | Caída de tensión típica en el LED |
| Ganancia de transferencia de corriente (CTR) | 50% – 600% (depende de versión 3 o 4) | Relación de corriente de salida respecto a corriente de entrada en LED |
| Frecuencia de conmutación | ≈100 kHz | Velocidad máxima de conmutación |
| Rango de temperatura de operación | −55 °C a +100 °C | Temperatura ambiente permitida para operación segura |
| Encapsulado / Paquete | DIP-6 | Montaje a través de placa de circuito impreso |
| Aislamiento eléctrico | ≥ 5000 V | Tensión mínima de aislamiento entre entrada (LED) y salida (fototransistor) |
| Aplicaciones típicas | Aislamiento entre circuitos, acoplamiento de señales digitales, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas | Uso en sistemas donde se requiere separación eléctrica |
