| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | Transistor bipolar (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Encapsulado | TO-220 |
| Voltaje colector‑emisor (VCEO) | 100 V |
| Voltaje colector‑base (VCBO) | 120 V |
| Voltaje emisor‑base (VEBO) | 5 V |
| Corriente continua de colector (IC) | 4 A |
| Corriente pico de colector (ICM) | 8 A |
| Potencia disipada (PD) | 40 W |
| Ganancia DC (hFE típica) | 20 – 100 |
| Frecuencia de transición (fT) | ≈ 30 MHz |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | ≈ 0.5 V |
| Temperatura de operación | −55 °C a +150 °C |
| Resistencia térmica RθJC | ~2.5 °C/W |
| Encapsulado / montaje | TO‑220 / Through‑Hole |
| Pinout (1‑2‑3) | Base – Colector – Emisor |
| Uso típico | Etapas de salida, drivers, amplificadores |
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