Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT con diodo integrado (Free-Wheeling Diode)	Paquete moldeado
Voltaje colector-emisor máximo (VCES)	600	V
Voltaje puerta-emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (TC=25 °C)	50	A
Corriente pulsada de colector (1 ms)	≈ 328	A
Potencia disipada máxima (IGBT)	≈ 310	W
Potencia disipada máxima (diodo)	≈ 140	W
Temperatura de unión máxima (Tj)	+150	°C
Temperatura de almacenamiento (Tstg)	−40 a +150	°C
Voltaje de saturación C-E típico (VCE(sat))	~3.0	V @ VGE=15 V, Ic=50 A
Tiempos de conmutación típicos	ton ≈ 0.16 µs / toff ≈ 0.30 µs	Con condiciones de prueba típicas
Capacitancia d(Alldatasheet)

1MBH50D-060 FUJI ELECTRIC