Parámetro	Símbolo	Valor / Rango
Tipo / Descripción	—	IGBT N‑canal, “Short Circuit Rated”
Voltaje colector‑emisor máximo	VCE	600 V
Voltaje puerta-emisor permitido	VGE	±20 V
Corriente continua de colector (TC = 25 °C)	IC,25	48 A
Corriente continua de colector (TC = 100 °C)	IC,100	30 A
Corriente pulsada de colector	ICM	90 A
Tiempo de resistencia a cortocircuito	tSC	10 µs
Potencia máxima disipada (TC = 25 °C)	PD,25	235 W
Potencia máxima disipada (TC = 100 °C)	PD,100	90 W
Temperatura de unión operativa	Tj	–55 … +150 °C
Resistencia térmica unión-caso	RθJC	0.53 °C/W
Resistencia térmica unión-ambiente	RθJA	40 °C/W
Corriente de fuga colector (puerta apagada)	ICES	hasta 250 µA
Corriente de fuga puerta-emisor	IGES	±100 nA
Tensión umbral de puerta	VGE(th)	5.0 – 6.0 V
Caída VCE en saturación	VCE(sat)	~2.2 V (IC = 30 A, VGE = 15 V)
Capacitancia de entrada	Cies	~1 970 pF
Capacitancia de salida	Coes	~310 pF
Capacitancia de transferencia inversa	Cres	~74 pF
Tiempo retardo encendido	td(on)	~30 ns
Tiempo de subida	tr	~65 ns
Tiempo retardo apagado	td(off)	54–80 ns
Tiempo de caída	tf	138–200 ns
Energía de conmutación encendido	Eon	~919 µJ
Energía de conmutación apagado	Eoff	~814 µJ
Energía total de conmutación	Ets	~1.733–2.430 mJ
Carga de puerta	Qg	85–120 nC
Carga puerta-emisor	Qge	17–25 nC
Carga puerta-colector	Qgc	39–55 nC
Inductancia interna de emisor	LE	~14 nH
Tiempo de recuperación inversa del diodo	trr	~50 ns

HGTG30N60RUF FSC