Parámetro	Símbolo	Valor / Rango
Tipo / Descripción	—	IGBT N‑canal, alta tensión, short‑circuit rated
Voltaje colector‑emisor máximo	VCE	600 V
Corriente continua de colector (TC = 25 °C)	IC,25	48 A
Corriente continua de colector (TC = 100 °C)	IC,100	30 A
Corriente pulsada de colector	ICM	90 A
Voltaje puerta‑emisor permitido	VGE	±20 V
Potencia disipada máxima (TC = 25 °C)	PD	235 W
Temperatura de unión operativa	Tj	–55 … +150 °C
Tiempo de resistencia a cortocircuito	tSC	10 µs
Resistencia térmica unión‑a‑caso	RθJC	0.53 °C/W
Resistencia térmica unión‑a‑ambiente	RθJA	40 °C/W
Caída VCE en saturación	VCE(sat)	2.2 V (IC = 30 A)
Corriente de fuga colector sin puerta	ICES	250 µA
Corriente de fuga puerta-emisor	IGES	±100 nA
Carga de puerta total	Qg	85–120 nC
Capacitancia de entrada	Cies	1 970 pF
Caída del diodo antiparalelo	VF	1.4–1.7 V (IF = 25 A)
Tiempo de recuperación inversa del diodo	trr	50–95 ns
Carga de recuperación del diodo	Qrr	112–375 nC

HGTG30N60RUFD FSC