| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo |
Transistor de conmutación de potencia |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
650 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±30 |
V |
| Corriente continua de colector |
60 |
A (a 100 °C) |
| Corriente continua de colector |
120 |
A (a 25 °C) |
| Corriente pulsada de colector |
180 |
A (picos cortos) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
1.88 |
V |
| Energía de encendido (Eon) |
2.42 |
mJ |
| Energía de apagado (Eoff) |
1.17 |
mJ |
| Carga total de puerta (Qg) |
90 |
nC |
| Capacitancia de salida (Coes) |
247 |
pF |
| Tiempos de conmutación típicos |
118 ns (encendido) / 268 ns (apagado) |
ns |
| Temperatura de unión máxima (Tj) |
−55 a +175 |
°C |
| Encapsulado |
TO‑247 |
Montaje a través de orificio |
