| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel de potencia con diodo de recuperación rápida integrado |
Transistor de conmutación |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
900 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±25 |
V |
| Voltaje pico puerta‑emisor (VGEM) |
±30 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
60 |
A |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
120 |
A (pico de corto tiempo) |
| Corriente de emisor (IE) |
~40 |
A |
| Potencia máxima disipada |
180 |
W |
| Temperatura de unión de operación (Tj) |
−40 … +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) |
−40 … +150 |
°C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3PL |
Montaje con disipador térmico |
| VCE(on) típico |
Bajo |
Saturación de colector‑emisor reducida |
| Características de conmutación |
Con diodo rápido integrado |
Minimiza pérdidas en cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas |
Electrodomésticos de potencia, inversores, control de motores y fuentes conmutadas |
— |
