Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	BJT NPN de potencia	Silicio
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	400	V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO)	400	V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO)	5	V
Corriente continua de colector (IC)	20	A
Corriente pico de colector (ICM)	30	A
Corriente continua de base (IB)	6	A
Corriente pico de base (IBM)	9	A
Potencia máxima disipada (PC)	180	W
Temperatura de unión máxima (Tj)	150	°C
Rango de temperatura de almacenamiento	−65 a +150	°C
Resis

BUP300 INFINEON