Parámetro técnico	Especificación
Nombre de pieza / Parte	G20N50C1D
Categoría	Transistor de potencia IGBT discreto
Fabricante típico	Harris / Fairchild (también listado bajo HGTG20N50C1D)
Encapsulado / Paquete	TO-247 / TO-3P (Through-Hole)
Tipo de dispositivo	IGBT N-channel con diodo antiparalelo
Tensión Colector-Emisor (V_CES max)	500 V (máx)
Corriente de colector (IC)	26 A típico
Corriente de colector pulsada (I_cm)	~35 A
Vce(on) Máx.	~3.2 V @ Vge 20 V, Ic 35 A
Potencia máxima disipada	~75 W
Estado RoHS	No conforme (no RoHS)
Aplicaciones típicas	Reguladores de potencia, control de motores, fuentes de alimentación
Temperatura de funcionamiento	Tj hasta ~150 °C (general para IGBTs similares)
Montaje	A través de PCB (Through-Hole)
Polaridad / Entrada	Entrada estándar de puerta
Diodo antiparalelo incorporado	Sí

G20N50C1D INTERSIL