| Código / Parte |
G25H1203 (marcado) / IGW25N120H3 (parte real) |
Mismo componente |
| Tipo de dispositivo |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
Dispositivo de potencia |
| Tecnología |
Trench & Fieldstop (TRENCHSTOP™) |
Alta velocidad y eficiencia |
| Voltaje colector-emisor (VCES) |
1200 V |
Máximo |
| Corriente de colector (IC) |
25 A |
Continua típica |
| Corriente continua máxima (otras fuentes) |
hasta 50 A (según condiciones térmicas) |
Algunos distribuidores listan hasta 50 A |
| VCE(sat) (saturación) |
~2.05 V @ IC=25 A |
Típico |
| Tensión puerta-emisor (VGES) |
± 20 V |
Máximo |
| Potencia disipada (PD) |
~326 W |
En disipador térmico adecuado |
| Temperatura de unión (TJ max) |
175 °C |
Máxima |
| Temperatura de operación |
-40 °C a +175 °C |
Rango típico |
| Tecnología de encapsulado |
TO-247-3 |
A través de orificio |
| Diodo antiparalelo |
Integrado (soft/fast recovery) |
Para recuperación en conmutación |
| Aplicaciones típicas |
Inversores solares, UPS, convertidores rápidos, control de motores |
Uso industrial de potencia |
