| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor bipolar de puerta aislada |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3PN / TO‑3P‑3 |
Para montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
1000 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
25 |
A |
| Potencia máxima disipada |
150 |
W (con disipador adecuado) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~3.5 – 4.5 |
V (aproximado, depende de condiciones de prueba) |
| Temperatura máxima de unión (Tj) |
+150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
−55 … +150 |
°C |
| Aplicaciones típicas |
Inversores de potencia, control de motores, UPS, fuentes conmutadas |
Electrónica de potencia |
| Características de conmutación |
Tiempo de encendido/apagado adecuados para potencia |
Nanosegundos típicos |
