Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel	Transistor bipolar de puerta aislada para potencia
Encapsulado / Paquete	TO‑3PN / TO‑3P	Montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	1200	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	25	A
Potencia máxima disipada	150	W (con disipación adecuada)
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on))	~4 V	V (aproximado bajo condiciones típicas)
Temperatura máxima de unión (Tj)	+150	°C
Temperatura de almacenamiento	−55 … +150	°C
Tiempo de conmutación	Nanosegundos típicos	Encendido / apagado rápidos
Aplicaciones típicas	Inversores, controladores de motor, UPS, fuentes conmutadas	Electrónica de potencia

GT25Q101 TOSHIBA