Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel	Transistor de puerta aislada para potencia
Encapsulado / Paquete	TO‑3P / TO‑3PN	Montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	600	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	30	A
Corriente pulsada de colector (ICP)	100	A (pico 1 ms)
Corriente de emisor forward (IF)	30	A
Corriente pulsada de emisor (IFP)	60	A (pico 1 ms)
Potencia máxima disipada	75	W (con disipador adecuado)
Voltaje de saturación típico C‑E (VCE(on))	2.1	V (aproximado)
Tiempos típicos de conmutación	Encendido 0.30 µs / Apagado 0.40 µs	Nanosegundos / microsegundos
Capacitancia de entrada (Cies)	2500	pF (típico)
Resistencia térmica j‑c (IGBT)	1.67	°C/W (máx.)
Temperatura de unión máxima (Tj)	+150	°C
Temperatura de almacenamiento	−55 … +150	°C
Diodo antiparalelo integrado	Sí	Para cargas inductivas
Aplicaciones típicas	Inversores, control de motores, SMPS, UPS	Electrónica de potencia

GT30J322 TOSHIBA