| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor de puerta aislada para potencia |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P / TO‑3PN |
Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
30 |
A |
| Corriente pulsada de colector (ICP) |
100 |
A (pico 1 ms) |
| Corriente de emisor forward (IF) |
30 |
A |
| Corriente pulsada de emisor (IFP) |
60 |
A (pico 1 ms) |
| Potencia máxima disipada |
75 |
W (con disipador adecuado) |
| Voltaje de saturación típico C‑E (VCE(on)) |
2.1 |
V (aproximado) |
| Tiempos típicos de conmutación |
Encendido 0.30 µs / Apagado 0.40 µs |
Nanosegundos / microsegundos |
| Capacitancia de entrada (Cies) |
2500 |
pF (típico) |
| Resistencia térmica j‑c (IGBT) |
1.67 |
°C/W (máx.) |
| Temperatura de unión máxima (Tj) |
+150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
−55 … +150 |
°C |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí |
Para cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas |
Inversores, control de motores, SMPS, UPS |
Electrónica de potencia |
