Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel	Transistor bipolar de puerta aislada para potencia
Encapsulado / Paquete	TO‑3P / TO‑3PN	Para montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	~300	V (clasificación típica para este número de serie)
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	~30	A (dependiendo de temperatura y disipación)
Potencia máxima disipada	~150–200	W (con disipador adecuado)
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on))	~2.0–3.5	V (aproximado bajo condiciones de prueba)
Temperatura máxima de unión (Tj)	+150	°C
Temperatura de almacenamiento	−55 … +150	°C
Diodo antiparalelo interno	Sí (normal en IGBTs de potencia)	Facilita manejo de cargas inductivas
Tiempos de conmutación típicos	Decenas a cientos de nanosegundos	Encendido / apagado
Aplicaciones típicas	Inversores, control de motores, fuentes conmutadas, UPS	Electrónica de potencia

GT30J301 TOSHIBA