Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel	Transistor de potencia con diodo integrado
Encapsulado / Paquete	TO‑3P / TO‑3PL	Para montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	1500	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±25	V
Corriente continua de colector (IC)	40	A
Corriente pulsada de colector (1 ms)	80	A (picos cortos)
Corriente forward inversa (emisor‑colector)	~30	A
Corriente pulsada inversa (emisor‑colector 1 ms)	~80	A
Potencia máxima disipada (Tc = 25 °C)	200	W
Temperatura máxima de unión (Tj)	150	°C
Temperatura de almacenamiento	−55 … +150	°C
Voltaje de saturación típica (VCE(on))	~3.7	V @ Ic nominal
Tiempo de encendido (ton)	~450	ns
Tiempo de apagado (toff)	~600	ns
Tiempo de subida (tr)	~400	ns
Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr)	~0.7	µs
Aplicaciones típicas	Inversores industriales, control de motor, fuentes conmutadas, variadores	Electrónica de potencia

GT40N301 TOSHIBA