| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor de potencia con diodo integrado |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P / TO‑3PL |
Para montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
1500 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±25 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
40 |
A |
| Corriente pulsada de colector (1 ms) |
80 |
A (picos cortos) |
| Corriente forward inversa (emisor‑colector) |
~30 |
A |
| Corriente pulsada inversa (emisor‑colector 1 ms) |
~80 |
A |
| Potencia máxima disipada (Tc = 25 °C) |
200 |
W |
| Temperatura máxima de unión (Tj) |
150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
−55 … +150 |
°C |
| Voltaje de saturación típica (VCE(on)) |
~3.7 |
V @ Ic nominal |
| Tiempo de encendido (ton) |
~450 |
ns |
| Tiempo de apagado (toff) |
~600 |
ns |
| Tiempo de subida (tr) |
~400 |
ns |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) |
~0.7 |
µs |
| Aplicaciones típicas |
Inversores industriales, control de motor, fuentes conmutadas, variadores |
Electrónica de potencia |
