| Tipo / Serie / Tecnología |
IGBT canal N, serie “UFS” — transistor con gate tipo MOS + bajo drop en conducción como bipolar |
| Encapsulado / Package |
TO‑247‑3 (montaje through‑hole, 3 pines + tab metálico) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (V_CE max / BVCES) |
600 V |
| Corriente continua del colector (I_C @ T_C = 25 °C) |
70 A |
| Corriente continua admisible a elevada temperatura (T_C ~ 110 °C) |
40 A |
| Corriente de colector en pulso / pico (I_CM) |
330 A |
| Disipación máxima de potencia (P_D, case, T_C = 25 °C) |
290 W |
| Gate‑Emitter voltaje máximo (continuo) |
± 20 V |
| Gate‑Emitter voltaje máximo en pulso |
± 30 V |
| Capacidad de conmutación segura (Switching SOA) a 600 V |
Sí — diseñado para switching de potencia con 600 V de colector‑emisor. |
| Tiempo típico de apagado (fall time) a T_J = 150 °C |
~ 100 ns (según datasheet) |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C … +150 °C |
| Características destacadas |
Alta impedancia de entrada (como MOSFET) + baja caída en conducción (como transistor bipolar). Adecuado para switching de potencia, control de motores, fuentes, drivers, etc. |
| Aplicaciones típicas |
Control de motores AC/DC, fuentes conmutadas, drivers de cargas inductivas, inversores, relés/contactores, electrónica de potencia en general. |
