| Tipo de dispositivo |
IGBT canal N, MOS‑gated, con diodo antiparalelo integrado |
| Tensión colector‑emisor máxima (V_CE) |
600 V |
| Corriente continua de colector (I_C) @ 25 °C |
24 A |
| Corriente de colector pulsada (I_CM) |
96 A |
| Potencia máxima disipada |
104 W |
| Caída V_CE(on) típica / máxima |
≈ 2 V @ V_GE = 15 V, I_C = 12 A |
| Carga de compuerta (Gate charge) |
≈ 48 nC |
| Temperatura de operación (junción) |
–40 °C a +150 °C |
| Encapsulado / paquete |
TO‑220‑3 (Through‑Hole) |
| Estado del producto |
Obsoleto / EOL (ya no producido) |
| Aplicaciones típicas |
Conmutación de potencia alta tensión, control de motores / fuentes conmutadas, cargas generales, electrónica de potencia con requerimiento de 600 V y corriente moderada. |
