| Tipo de dispositivo |
IGBT (Reverse‑conducting IGBT con diodo interno) |
| Tensión colector‑emisor máxima (V_CE) |
1200 V |
| Corriente continua de colector (I_C) @ 25 °C |
40 A |
| Corriente continua de colector @ 100 °C |
20 A |
| Corriente de colector pulsada (I_C(puls)) |
60 A |
| Corriente de bypass / diodo integrado (IF) @ 25 °C |
40 A |
| Caída saturación colector‑emisor (V_CE(sat)) típica |
~1.48 V @ I_C = 20 A, V_GE = 15 V |
| Diodo interno — tensión directa (V_F) |
~ 1.55 V @ 20 A (a 25 °C) |
| Potencia máxima disipada (P_D) @ case 25 °C |
310 W |
| Temperatura de unión / operación máxima (T_j) |
175 °C |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑247-3 (Through‑Hole) |
| Tensión puerta‑emisor máxima (V_GE) |
± 20 V (máx. transitorio ±25 V) |
| Capacidad de gate (Gate Charge Q_G) |
~ 211 nC (para VCC = 960 V, I_C = 20 A, V_GE = 15 V) |
| Comentarios especiales |
Diodo interno diseñado para “soft commutation”; tecnología “TRENCHSTOP”, baja V_CE(sat), buena estabilidad térmica, apto para conmutación de potencia / inversores / fuentes / drives. |
