| Tipo de dispositivo |
IGBT “Standard Speed” (Generation 4) |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑220AB (Through‑Hole) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máxima de colector (I_C @ T_C = 25 °C) |
60 A |
| Corriente continua de colector (I_C @ T_C = 100 °C) |
31 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (I_CM / ILM) |
120 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ case, T_C = 25 °C) |
160 W |
| Potencia máxima disipada (P_D @ case, T_C = 100 °C) |
65 W |
| Voltaje compuerta‑a‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Voltaje saturación colector‑emisor típico (V_CE(on)) @ V_GE=15 V, I_C=31 A |
≈ 1.32 V |
| Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC) |
0.77 °C/W (máx.) |
| Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS, superficie plana + pasta térmica) |
0.50 °C/W |
| Rango de temperatura de unión / almacenamiento |
–55 °C … +150 °C |
| Uso recomendado / características destacadas |
IGBT de velocidad estándar — optimizado para mínima saturación y frecuencias de conmutación bajas (≈ < 1 kHz) |
