Parámetro Valor típico / máximo Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo IGBT N‑Channel Transistor de potencia con puerta aislada
Encapsulado / Paquete TO‑247AC Montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor (VCES) 600 V (bloqueo de tensión máximo)
Voltaje puerta‑emisor (VGES) ±20 V (límite de puerta)
Corriente continua de colector (IC) 60 A @ TC=25 °C (máx. bajo buena disipación)
Corriente continua de colector (IC) 31 A @ TC=100 °C (condición típica)
Corriente pulsada de colector (ICM) 120 A (picos cortos permitidos)
Máxima potencia disipada (PD) 160 W @ TC=25 °C
Temperatura de unión (Tj) –55 … +150 °C
Temperatura de almacenamiento (Tstg) –55 … +150 °C
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) ~1.32 V @ VGE=15 V, IC=31 A
Carga de puerta (Qg) ~150 nC (aproximado)
Capacitancia de entrada / salida Características influenciadas por paquete TO‑247
Frecuencia de operación típica Baja a media (<1 kHz) Optimizado para conmutación estándar
Aplicaciones típicas Inversores, control de motores, SMPS, UPS Electrónica de potencia general

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