| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor bipolar de puerta aislada |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247AC |
Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
60 |
A (bajo buena disipación térmica) |
| Corriente continua a 100 °C |
~31–32 |
A (condición térmica típica) |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
~100–120 |
A (pico en pulsos cortos) |
| Potencia máxima disipada (PD) |
~160 |
W (con disipador a TC=25 °C) |
| Temperatura de unión |
–55 … +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
–55 … +150 |
°C |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~1.3–1.5 |
V (estimación típica) |
| Carga total de puerta (Qg) |
~130–180 |
nC (aprox.) |
| Tiempos de conmutación |
Encendido/apagado en rango de nanosegundos |
Característica típica |
| Diodo antiparalelo interno |
Sí |
Permite conducción inversa en cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas |
Control de motores, inversores, UPS, SMPS |
Electrónica de potencia |
