Parámetro Valor típico / máximo Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo IGBT N‑Channel Transistor bipolar de puerta aislada
Encapsulado / Paquete TO‑247AC Montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) 600 V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) ±20 V
Corriente continua de colector (IC) 60 A (bajo buena disipación térmica)
Corriente continua a 100 °C ~31–32 A (condición térmica típica)
Corriente pulsada de colector (ICM) ~100–120 A (pico en pulsos cortos)
Potencia máxima disipada (PD) ~160 W (con disipador a TC=25 °C)
Temperatura de unión –55 … +150 °C
Temperatura de almacenamiento –55 … +150 °C
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) ~1.3–1.5 V (estimación típica)
Carga total de puerta (Qg) ~130–180 nC (aprox.)
Tiempos de conmutación Encendido/apagado en rango de nanosegundos Característica típica
Diodo antiparalelo interno Permite conducción inversa en cargas inductivas
Aplicaciones típicas Control de motores, inversores, UPS, SMPS Electrónica de potencia

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