Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel	Transistor bipolar de puerta aislada
Encapsulado / Paquete	TO‑247AC	Montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	600	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	hasta 70 A	A @ TC=25 °C
Corriente continua de colector (IC)	~39 A	A @ TC=100 °C
Corriente pulsada de colector (ICM)	~200–280 A	A (picos cortos)
Potencia máxima disipada (PD)	200 W	W (encapsulado con disipador)
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on))	~1.45–1.8 V	V @ VGE=15 V, corriente moderada
Temperatura de unión (Tj)	–55 … +150	°C
Temperatura de almacenamiento (Tstg)	–55 … +150	°C
Diodo antiparalelo interno	Sí (recuperación suave / rápida)	Facilita cargas inductivas
Tiempos típicos de conmutación	nanosegundos	Encendido/apagado rápidos
Aplicaciones típicas	Control de motores, inversores, UPS, SMPS	Electrónica de potencia de media‑alta

IRG4PC50F I&R