Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado	Transistor bipolar de puerta aislada
Encapsulado / Paquete	TO‑247AC	Montaje con disipador térmico
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	600	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	40	A
Corriente pulsada de colector (ICM)	160	A (picos cortos)
Potencia máxima disipada (PD)	160	W
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on))	~2.1	V @ VGE=15 V, 20 A
Carga total de puerta (Qg)	~100	nC
Tiempos de conmutación (td(on)/td(off))	~54 ns / ~110 ns	@ 25 °C
Energía de conmutación típ.	~710 µJ (on), ~350 µJ (off)	Condiciones de prueba estándar
Recuperación inversa del diodo (trr)	~42	ns
Temperatura de unión (Tj)	–55 … +150	°C
Temperatura de almacenamiento	–55 … +150	°C
Aplicaciones típicas	Control de motores, inversores, fuentes conmutadas, UPS, drivers de potencia	Electrónica de potencia

IRG4PC40UD I&R