| Tipo de componente |
IGBT con diodo rápido integrado |
| Tensión colector‑emisor máxima (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector @ 25 °C (IC) |
55 A |
| Corriente continua de colector @ 100 °C |
27 A |
| Corriente pulsada / pico (ICM) |
220 A |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
~1.65 V |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), máximo) |
≤ 2.0 V |
| Potencia máxima de disipación (PD) |
200 W |
| Carga de puerta (Gate charge / Input capacitance) |
~180 nC / ~4000 pF |
| Tiempos de conmutación |
Rise ~25 ns; switching óptimo 8–40 kHz (hard‑switch) |
| Paquete / encapsulado |
TO‑247AC (through‑hole) |
| Rango de temperatura de operación |
–55 °C a +150 °C |
| Estado del componente |
Obsoleto / no recomendado para nuevos diseños |
