| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (UltraFast + soft‑recovery) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
1200 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
41 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) |
160 W |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
~2.43 V @ VGE = 15 V, IC = 21 A |
| Tensión puerta‑emisor máxima (VGE) |
±20 V |
| Paquete / encapsulado |
TO‑247AC — montaje through‑hole |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C a +150 °C |
| Características especiales |
Conmutación UltraFast; diodo antiparalelo soft‑recovery; adecuado para fuentes, inversores, control de motores; óptimo para switching ~40 kHz o más en modos resonantes |
