| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (UltraFast / soft‑recovery) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (IC) @ Tc = 25 °C |
22 A |
| Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C |
12 A |
| Corriente pulsada / pico (ICM) |
44 A (pico) |
| Potencia máxima de disipación (PD, Tc = 25 °C) |
156 W |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
~1.8 V |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220AB (through‑hole) |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C a +150 °C |
| Características destacadas |
Diodo antiparalelo de recuperación suave; IGBT sin punch-through; buena capacidad de cortocircuito; baja caída de tensión; ideal para control de motores, convertidores y fuentes de poder |
