| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
430 V |
| Corriente continua de colector (IC) @ Tc = 25 °C |
20 A |
| Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C |
≈ 14 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) |
125 W |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
~1.4 V |
| Carga de puerta (Gate charge, Qg) |
~27 nC |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220 (también compatible TO‑220AB / TO‑263AB según variante) |
| Rango de temperatura de operación |
−40 °C a +175 °C (junción / almacenamiento) |
| Tipo de conducción / aplicación típica |
Lógica‑level; adecuado para conmutación en fuentes, cargas conmutadas, circuitos de potencia moderada; soporta pulsos e inductancias con buena robustez |
