| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel, conmutación rápida (“Fast‑Speed”) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector @ Tc = 25 °C (IC) |
16 A |
| Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C |
9 A |
| Corriente pulsada / pico (ICM) |
64 A |
| Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C) |
60 W |
| Potencia máxima de disipación @ Tc = 100 °C |
24 W |
| Voltaje saturación colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
≤ 2.8 V @ VGE=15 V, IC=9 A |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220AB / through‑hole |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C a +150 °C |
| Características / notas |
IGBT optimizado para frecuencia media (≈ 1–10 kHz), con buena respuesta en conmutación rápida |
