| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de componente | IGBT N‑Channel |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) | 600 V |
| Corriente continua de colector @ Tc = 25 °C (IC) | ~16–19 A |
| Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C | ~9–10 A |
| Corriente en carga inductiva / pulso (ICM) | ~76 A (pico) / ~38 A (inductiva limitada) |
| Potencia máxima de disipación (PD) @ Tc = 25 °C | 60 W |
| Potencia máxima de disipación @ Tc = 100 °C | 24 W |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGE) | ± 20 V |
| Paquete / encapsulado | TO‑220AB / through‑hole |
| Rango de temperatura de operación (junción / almacenamiento) | –55 °C a +150 °C |
| Aplicaciones típicas | Fuentes |
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