| Tipo de componente |
IGBT N‑channel (UltraFast) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
40 A (case = 25 °C), 20 A (case = 100 °C) |
| Corriente pulsada / pico (ICM) |
160 A (pico, cargas inductivas) |
| Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C) |
160 W |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
≈ 1.72 V @ VGE = 15 V, IC = 20 A |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGE) |
± 20 V |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220AB — through‑hole (TO‑220‑3) |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C a +150 °C |
| Características especiales |
IGBT “UltraFast” — optimizado para switching a frecuencias relativamente altas; ideal para fuentes, inversores, control de motores y cargas de media/alta potencia |
