| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (Full‑Pak) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
16 A (a 25 °C), 10 A (a 100 °C) |
| Corriente pulsada / pico (ICM) |
~32 A (pulso corto) |
| Potencia máxima de disipación (PD) |
44 W |
| Saturación colector‑emisor en conducción (VCE(on)) |
~2.1 V (VGE=15 V, IC=10 A) |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGE) |
± 20 V |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220FP‑3 (Full‑Pak) — through‑hole |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C a +175 °C |
| Características especiales |
IGBT “Low‑VCE(on)” + diodo antiparalelo ultrarrápido; RBSOA robusto; soporta cortocircuito corto (~10 µs) |
