Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	MOSFET de potencia, canal N (HiPerFET)
Tensión drenaje‑fuente máxima (VᴅSS)	500 V
Corriente de drenaje continua (Iᴅ, Tc = 25 °C)	48 A
Resistencia drenaje‑fuente en conducción RᴅS(on) (máx)	0.10 Ω (100 mΩ) @ V_GS = 10 V
Umbral de compuerta (V_GS(th) máx)	~ 4 V (para corriente muy pequeña)
Tensión compuerta‑fuente máxima (V_GS max)	± 20 V
Carga de compuerta (Q_g)	270 nC (typical / max, según condiciones)
Capacitancia de entrada (C_iss)	8400 pF (aproximadamente, en V_DS = 25 V)
Potencia máxima disipable (P_D, case)	500 W (condiciones con carcasa enfriada)
Temperatura de operación (junción)	–55 °C … +150 °C
Paquete / Encapsulado	TO‑264 (Through‑Hole, 3 pines + tab)
Diodo interno / Características adicionales	Diodo intrínseco rápido; apto para conmutación elevada y cargas inductivas

IXFK48N50 IXYS