| Tipo de dispositivo |
MOSFET potencia, canal N (HiPerFET Q3‑Class) |
| Tensión drenaje‑fuente máxima (VₙDSS) |
800 V |
| Corriente continua de drenaje (Iᴅ, a TC = 25 °C) |
44 A |
| Resistencia drenaje‑fuente en conducción (RᴅS(on), máx) |
0.19 Ω |
| Carga total de compuerta (Q₍g₎) |
185 nC (aprox., V_GS = 10 V) |
| Capacitancia de entrada (C₍iss₎) |
10 950 pF (cca.) |
| Potencia máxima disipable (P_D, case / con carcasa enfriada) |
1 250 W |
| Recuperación del diodo interno / recuperacion inversa (t_rr máx) |
300 ns (aprox.) |
| Encapsulado / paquete |
TO‑264 (montaje Through‑Hole) |
| Tipo de MOSFET |
N‑Channel, enhancement mode; avalancha permitida; diodo rápido interno |
| Temperatura de operación (junción) |
–55 °C … +150 °C |
