Parámetro	Valor / Característica
Tipo	MOSFET de potencia, canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS)	500 V
Voltaje puerta-fuente máximo (VGS)	±30 V
Corriente de drenaje continua (ID)	10 A
Corriente de drenaje de pulso (IDM)	40 A
Potencia máxima disipada (PD)	~140 W (TO-220)
Temperatura máxima de unión (Tj)	150 °C
Resistencia en conducción (RDS(on))	~0,60 Ω @ VGS = 10 V
Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS)	< 1 mA a 500 V
Voltaje umbral de puerta (VGS(th))	3 – 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss)	~1500 pF
Capacitancia de salida (Coss)	~250 pF
Capacitancia de retorno (Crss)	~30 pF
Tiempo de encendido (ton)	~30 ns
Tiempo de subida (tr)	~20 ns
Tiempo de apagado (toff)	~60 ns
Tiempo de caída (tf)	~25 ns
Energía de avalancha única (EAS)	~380 mJ
Diodo interno	Diodo rápido, recuperación suave
Corriente máxima del diodo (IF)	10 A
Caída de tensión del diodo (VF)	~1,5 V
dv/dt soportado	~4,5 V/ns
Encapsulado	TO-220
Aplicaciones típicas	Fuentes SMPS, fuentes LED, inversores pequeños, convertidores offline

RCP10N50 HARRIS