Parámetro	Valor
Tipo	IGBT N‑canal
Tensión colector‑emisor (V_CE) máx.	600 V
Corriente de colector continua (I_C)	16 A
Corriente de pulso (I_CM)	30 A
Potencia disipada máxima (P_D)	75 W
Voltaje de saturación colector‑emisor (V_CE(sat))	aprox. 2,8 V (a V_GE = 15 V, I_C = 10 A)
Carga de puerta (Q_g)	30 nC
Energía de conmutación	E_on ~ 141 µJ, E_off ~ 215 µJ
Tiempo de retardo encendido / apagado (t_d(on/off) a 25 °C)	15 ns / 36 ns
Condiciones de prueba	300 V, 10 A, resistencia de puerta de 20 Ω, V_GE = 15 V
Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr)	~ 60 ns
Temperatura de operación (T_j)	−55 °C a +150 °C
Ganancia de temperatura (resistencia térmica, junction-case)	~ 1,6 °C/W (IGBT), ~ 2,5 °C/W (diodo)
Voltaje puerta-emisor máximo (V_GE)	±20 V
Corriente de fuga de la puerta	±100 nA

SGP10N60RUFDTU FSC